2026年2月4日，上海国家会展中心内人潮涌动，备受全球汽车产业瞩目的上海国际汽车零配件、维修检测诊断设备及服务用品展览会（Automechanika Shanghai）正如火如荼地进行。与往年相比，今年的展会上，一个技术关键词的热度空前高涨——第三代半导体。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，已从实验室和高端车型的概念应用，全面渗透至主流电动汽车的核心部件，成为驱动汽车产业新一轮技术革命的核心力量。
展会现场：第三代半导体已成主流标配
漫步于各大Tier 1供应商和功率半导体巨头的展台，一个直观的感受是，碳化硅（SiC） 电驱系统解决方案已成为绝对的展示主角。无论是博世、大陆、电装等传统巨头，还是国内新兴的功率半导体企业，其展出的最新一代电驱控制器、车载充电机（OBC）和直流快充模块，几乎都明确标注了“基于SiC技术”。据现场工程师介绍，相较于传统的硅基IGBT，SiC器件能将电驱系统效率提升5%-8%，这意味着在同等电池容量下，车辆续航可显著增加，或是在相同续航下减少电池用量，直接降低了整车成本和重量。 在氮化镓（GaN） 应用区，其高频高效的特性在车载电源和激光雷达等感知系统中大放异彩。多家企业展示了基于GaN的48V至12V DC-DC转换器，其体积比硅基方案缩小了近40%，效率却更高。更值得关注的是，随着L3级以上自动驾驶技术的推进，高分辨率激光雷达对供电系统的瞬态响应和功率密度提出了苛刻要求，GaN器件成为满足这些需求的理想选择。
技术纵深：从“能用”到“好用、敢用”
如果说前几年展会还在探讨第三代半导体的“可行性”，那么2026年的焦点已完全转向“可靠性”、“成本控制”和“系统集成优化”。展会同期论坛上，行业专家普遍认为，随着6英寸、8英寸SiC衬底量产良率的持续提升，以及本土供应链的完善，SiC器件的成本在过去三年内以年均15%-20%的速度下降，已进入规模化应用的“甜蜜点”。 例如，国内领先的半导体企业三安光电在展会上发布了其最新的车规级全碳化硅功率模块，其功率密度再创新高，并强调了其产品在极端温度和振动条件下的长期可靠性数据，这打消了众多整车厂对耐用性的最后顾虑。此外，系统级封装（SiP） 和直接冷却技术的进步，使得第三代半导体模块更紧凑、散热更高效，便于主机厂进行整车布置。
产业生态与未来展望
本届展会清晰地揭示了一个完整的第三代半导体汽车应用生态正在中国形成。从上游的衬底、外延片制造（如天岳先进、天科合达），到中游的器件设计与模块封装（如斯达半导、比亚迪半导体），再到下游的电驱系统集成商和整车厂，产业链协同效应显著增强。根据展会发布的《2026中国汽车功率半导体产业白皮书》预测，到2028年，中国新能源汽车中SiC器件的渗透率将从目前的约35%攀升至60%以上。 一个更具前瞻性的趋势是，为应对800V甚至更高电压平台的普及，碳化硅因其耐高压、耐高温的天然优势，已成为不可或缺的基础技术。展会现场，已有多个品牌展示了基于800V高压平台的完整快充解决方案，其核心均依赖于高性能的SiC MOSFET。 对于行业从业者和投资者而言，关注点已从“是否采用”转向“如何更优地应用”。建议整车厂在下一代平台架构开发初期，就深度联合半导体供应商进行协同设计；而零部件企业则需持续投入，攻克高温封装材料、低电感连接等关键技术，以充分释放第三代半导体的性能潜力。 ---
